据业内人士称，台积电未来的 2 纳米工艺将使用 gaa 技术，目前该技术的开发速度快于预期。尽管三星已经计划在 2021 年 3 纳米节点（批量生产）上改用 gaa 技术，但台积电表示，其 3 纳米节点将继续使用 FinFET 工艺，而基于 gaa 的 2NM 节点将于 2023 年下半年开始批量生产。

然而，台积电远远领先于韩国竞争对手，大多数芯片制造商希望在 2021 年苹果之后采用 5 纳米工艺。据消息来源称，5nm 节点的回报率甚至比现有的 7nm 工艺要好。另一方面，3nm 工艺将在 2022 年下半年大规模生产。台积电似乎相信，其 5nm 和 3nm 节点将足以与三星的 3 nm GAA 工艺相抗衡。

台积电的优势在于，它将继续是苹果的主要铸造合作伙伴，直到 2 nmGAA 节点，该节点得到共同开发的智能手机制造商的全力支持。

FinFET 晶体管：在这里，通过施加电荷，当场效应晶体管（FET) 打开时，栅极允许电流从源流流向流。

如果你想知道 GAA 有什么大不了的，那它更多的是因为你缩小了晶体管的电流泄漏。通常，当你打开晶体管时，电流只在晶体管的源管和漏管之间流动。然而，如果你的栅极长度低于某个限制，即使晶体管被关闭，电流也会在电源之间并排流动。

如上所示，中间门从三面覆盖源排水口。这是一个三维结构，如上图所示。这是一个侧面图。当使用 GAA 时，门（以下紫色）覆盖了所有四面的源和排水通道，从而进一步减少了泄漏。